식각 공정 - DC plasma, RF plasma

DC plasma

DC plasma 생성 방식

1) Anode와 Cathode 사이에 중성가스 주입

2) 양 전극에 전압을 가해 자유전자와 중성가스가 충돌하며 플라즈마 생성

3) 양이온이 Sheath Voltage에 의해 양이온이 Cathode에 가속되어 충돌

 

한계: 부도체 전극을 사용하면 전류가 흐르지 않아 Charging up(전하 쌓임)이고, Cathode에서 전자 방출이 방해되며 글로우 방전을 유지할 수 없음. 따라서 도체 전극을 사용해야함.

DC plasma

RF plasma

RF plasma 생성 방식

1) Anode와 Cathode 사이에 중성가스 주입

2) 양 전극에 전압을 가해 자유전자와 중성가스가 충돌하며 플라즈마 생성

3) 양이온이 Self-bias 현상으로 Sheath Voltage가 형성돼 양이온이 Cathode에 가속되어 충돌

 

특징: DC plasma와 달리 교류로 인해 전자의 이동이 원활하므로 부도체 전극 사용 가능.

RF plasma